Saphirwafer mit sehr geringen Oberflächenrauigkeiten in allen Orientierungen (C- A- R- M- Plane) und wenn gewünscht mit Fehlschnitt. Geeignet für verschiedenste Anwendungen z.B. Optikindustrie, Militär und Halbleiter. Die Züchtungsmethode kann HEM oder Kyropolos sein, je nach Kundenwunsch oder Verfügbarkeit.
Auch für Saphirwafer bieten wir diverse Dienstleistungen, wie Antireflexionsbeschichtungen oder Laserbearbeitungen, an.
Zögern Sie nicht uns zu kontaktieren, wenn Sie bei der Auswahl der Spezifikationen Unterstützung benötigen!
Wir beraten Sie gerne telefonisch unter +49-(0)241/943 297-10 oder per E-Mail.
Diameter
2" (50.8 mm)
3" (76.2 mm)
100 mm
125 mm
150 mm
200 mm
Growth
Kyropolos
HEM
Purity
≥99.99 %
Orientation
C-Plane (0001)
A-Plane (11-20)
R-Plane (1-102)
M-Plane (10-10)
Surface Finish
Optical Polished
Epi-Polished
Fine Ground
As Lapped
Surface roughness
Polished: Ra<=0.3 nm
Fine Ground: <1 µm
As Lapped: <1 µm