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Saphir-Wafer

Saphirwafer mit sehr geringen Oberflächenrauigkeiten in allen Orientierungen (C- A- R- M- Plane) und wenn gewünscht mit Fehlschnitt. Geeignet für verschiedenste Anwendungen z.B. Optikindustrie, Militär und Halbleiter. Die Züchtungsmethode kann HEM oder Kyropolos sein, je nach Kundenwunsch oder Verfügbarkeit.

Auch für Saphirwafer bieten wir diverse Dienstleistungen, wie Antireflexionsbeschichtungen oder Laserbearbeitungen, an.

Zögern Sie nicht uns zu kontaktieren, wenn Sie bei der Auswahl der Spezifikationen Unterstützung benötigen!
Wir beraten Sie gerne telefonisch unter +49-(0)241/900 5333 oder per E-Mail.

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Lagerbestand: Saphir-Wafer

Typische Saphir-Wafer Spezifikationen:

Diameter
2" (50.8 mm)
3" (76.2 mm)
100 mm
125 mm
150 mm
200 mm

Growth
Kyropolos
HEM

Purity
≥99.99 %

Orientation
C-Plane (0001)
A-Plane (11-20)
R-Plane (1-102)
M-Plane (10-10)

Surface Finish
Optical Polished
Epi-Polished
Fine Ground
As Lapped

Surface roughness
Polished: Ra<=0.3 nm
Fine Ground: <1 µm
As Lapped: <1 µm