SOI Wafer nach Ihren individuellen Spezifikationen

Als erfahrener Lieferant für SOI Wafer versorgt SIEGERT WAFER Universitäten, Forschungseinrichtungen und Industrieunternehmen mit hochwertigen Silicon-on-Insulator-Substraten für unterschiedlichste Anwendungen. Ob Forschung, Entwicklung, MEMS, Sensorik oder industrielle Halbleiterprozesse: Wir liefern SOI Wafer mit individuell abgestimmten Schichtdicken und Materialeigenschaften und unterstützen Sie bei der Auswahl einer technisch passenden Lösung.

Eine besondere Stärke von SIEGERT WAFER sind kundenspezifische SOI Wafer in kleinen Stückzahlen. Individuelle Spezifikationen können bereits ab einer Menge von 10 Stück realisiert werden. Dadurch eignen sich unsere Lösungen sowohl für Forschungsprojekte und Prototypen als auch für Kleinserien und spezialisierte industrielle Anwendungen.
Wir beraten Sie gerne telefonisch unter +49-(0)241/943 297-10 oder per E-Mail.

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Lagerbestand: SOI-Wafer

SOI Wafer bestehen typischerweise aus einer dünnen Siliziumschicht, dem sogenannten Device Layer, einer darunterliegenden isolierenden Oxidschicht – dem Buried Oxide beziehungsweise BOX Layer – und einem tragenden Siliziumsubstrat, dem Handle Layer.

Durch diesen definierten Schichtaufbau bieten SOI Wafer besondere Möglichkeiten für mikroelektronische und mikromechanische Bauelemente. Die elektrisch isolierende Oxidschicht ermöglicht beispielsweise eine gezielte Trennung der aktiven Siliziumschicht vom darunterliegenden Trägersubstrat.

Typische Einsatzbereiche für SOI Wafer sind unter anderem:

• - MEMS und Mikrosystemtechnik,
• - Sensorik,
• - Mikroelektronik,
• - Photonik,
• - Forschungs- und Entwicklungsprojekte,
• - Prototypen und Kleinserien,
• - spezialisierte Halbleiterprozesse.

Je nach Anwendung lassen sich Durchmesser, Device Layer, BOX Layer, Handle Layer sowie weitere Material- und Oberflächeneigenschaften individuell auf den jeweiligen Prozess abstimmen.

Die technischen Anforderungen an SOI Wafer können sich, abhängig von Prozess und Bauteil, deutlich unterscheiden. Relevant sind unter anderem die Dicke der aktiven Siliziumschicht, die Dicke der isolierenden Oxidschicht sowie die Eigenschaften des Handle Layer.

SIEGERT WAFER unterstützt Sie daher nicht nur bei der Beschaffung, sondern auch bei der Auswahl geeigneter Spezifikationen. Wenn Sie noch nicht genau wissen, welche Konfiguration für Ihre Anwendung benötigt wird, können Sie uns Ihre technischen Anforderungen und den geplanten Einsatzzweck mitteilen.

Typische Spezifikationen unserer SOI Wafer umfassen beispielsweise:

• - Durchmesser von 3 Zoll (76,2 mm) bis 200 mm,
• - Device Layer von ca. 380 nm bis 100 µm,
• - BOX Layer von ca. 100 nm bis 10 µm,
• - Handle Layer von ca. 300 µm bis 775 µm,
• - Forschungs- und Entwicklungsprojekte,
• - unterschiedliche Kristallorientierungen.

Auch besondere Anforderungen können projektspezifisch geprüft werden

Der charakteristische Aufbau eines SOI Wafer besteht aus drei wesentlichen Schichten.

Device Layer

Der Device Layer bildet die obere Siliziumschicht des SOI Wafer. In dieser Schicht können die funktionalen Strukturen eines Bauteils erzeugt werden. Abhängig von der Anwendung kann ihre Dicke von sehr dünnen Schichten im Nanometerbereich bis zu deutlich dickeren Siliziumschichten reichen.

BOX Layer

Unterhalb des Device Layer befindet sich der sogenannte Buried Oxide Layer oder BOX Layer. Diese Siliziumoxidschicht trennt die aktive Siliziumschicht elektrisch vom darunterliegenden Handle Layer. Die gewünschte Dicke des BOX Layer hängt vom jeweiligen Prozess und den elektrischen beziehungsweise mechanischen Anforderungen der Anwendung ab.

Handle Layer

Der Handle Layer bildet das tragende Substrat des SOI Wafer. Seine Dicke und Materialeigenschaften können ebenfalls an die jeweilige Anwendung angepasst werden. Durch die gezielte Kombination dieser drei Schichten können SOI Wafer sehr präzise auf spezifische MEMS-, Sensor- oder Halbleiterprozesse abgestimmt werden.

Für die Herstellung von SOI Wafer stehen unterschiedliche Verfahren zur Verfügung. Je nach gewünschtem Schichtaufbau und technischen Anforderungen kommen beispielsweise folgende Methoden zum Einsatz:

• - Direct Bonding,
• - Epi-Layer-Transfer,
• - Oxygen Implantation.

Beim Direct Bonding werden beispielsweise vorbereitete Wafer miteinander verbunden, sodass sich definierte Device-, BOX- und Handle-Schichten erzeugen lassen.

Welche Herstellungsmethode für einen bestimmten SOI Wafer geeignet ist, hängt unter anderem von den gewünschten Schichtdicken, Toleranzen und elektrischen Materialeigenschaften ab.

Gerade in Forschung, Entwicklung und bei spezialisierten Anwendungen werden häufig keine großen Serien benötigt. Deshalb hat sich SIEGERT WAFER auf kundenspezifische SOI Wafer in kleinen Stückzahlen spezialisiert.
Individuelle Konfigurationen können bereits ab 10 Stück realisiert werden. Dadurch lassen sich projektspezifische Anforderungen umsetzen, ohne unmittelbar große Produktionsmengen abnehmen zu müssen.

Dies ist besonders interessant für:

• - Forschungsprojekte,
• - Prototypen,
• - MEMS-Entwicklung
• - Sensorentwicklung,
• - spezialisierte Kleinserien.

Sprechen Sie uns mit Ihren gewünschten Spezifikationen und der benötigten Stückzahl an.

SOI Wafer werden besonders häufig in der MEMS-Technologie eingesetzt. Der definierte Device Layer ermöglicht eine präzise Kontrolle der späteren Strukturhöhe, während der darunterliegende BOX Layer als klar definierte Grenz- beziehungsweise Isolationsschicht genutzt werden kann.

Dadurch eignen sich SOI Wafer beispielsweise für mikromechanische Strukturen, Sensoren und weitere Komponenten, bei denen reproduzierbare Schichtdicken und präzise Materialeigenschaften erforderlich sind.

Welche Device-, BOX- und Handle-Dicken benötigt werden, hängt vom jeweiligen MEMS-Design und Fertigungsprozess ab.

Sie benötigen SOI Wafer mit einem bestimmten Device Layer, BOX Layer oder Handle Layer? Wir beraten Sie gerne telefonisch unter +49-(0)241/943 297-10 oder per E-Mail.

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Was ist ein SOI Wafer?

Ein SOI Wafer (Silicon-on-Insulator) besteht aus einer dünnen aktiven Siliziumschicht (Device Layer), einer isolierenden Oxidschicht (BOX Layer) und einem Silizium-Trägerwafer (Handle Layer). Diese Struktur verbessert die elektrischen Eigenschaften vieler Halbleiterbauelemente.

Welche Vorteile bietet ein SOI Wafer?

Ein SOI Wafer reduziert parasitäre Kapazitäten, verbessert die Schaltgeschwindigkeit, senkt den Energieverbrauch und erhöht die elektrische Isolation zwischen den Bauteilen. Dadurch eignet sich ein SOI Wafer besonders für anspruchsvolle Halbleiteranwendungen.

Für welche Anwendungen eignet sich ein SOI Wafer?

Ein SOI Wafer wird unter anderem in der MEMS-Technologie, Photonik, Hochfrequenztechnik (RF), Leistungselektronik, Sensorik sowie in der Mikroelektronik eingesetzt.

Warum wird ein SOI Wafer anstelle eines Standard-Silizium-Wafers verwendet?

Ein SOI Wafer ermöglicht eine bessere elektrische Isolation und kann die Performance sowie Zuverlässigkeit elektronischer Bauelemente verbessern. Je nach Anwendung lassen sich außerdem Leckströme reduzieren und Schaltverluste minimieren.

Woraus besteht ein SOI Wafer?

Ein SOI Wafer besteht aus drei Schichten: dem Device Layer, dem BOX Layer (Buried Oxide) und dem Handle Layer. Die Dicke jeder Schicht wird entsprechend der jeweiligen Anwendung ausgewählt.

Welche Durchmesser sind für einen SOI Wafer erhältlich?

Ein SOI Wafer ist in den Standardgrößen 3 Zoll, 100 mm, 125 mm, 150 mm und 200 mm erhältlich.

Welche Device Layer-Dicken sind für einen SOI Wafer verfügbar?

Je nach Anwendung ist ein SOI Wafer mit Device Layer-Dicken von etwa 380 nm bis 100 µm erhältlich.

Welche BOX Layer-Dicken sind für einen SOI Wafer verfügbar?

Ein SOI Wafer kann mit BOX Layer-Dicken von etwa 100 nm bis 10 µm geliefert werden.

Kann ein SOI Wafer bei SIEGERT WAFER in Kleinserie bestellt werden?

Ja. SIEGERT WAFER liefert SOI Wafer bereits ab kleinen Stückzahlen und fertigt individuelle Spezifikationen bereits ab etwa 10 Stück.

Liefert SIEGERT WAFER die SOI Wafer auch nach Kundenspezifikation?

Ja. Ein SOI Wafer wird individuell entsprechend Ihren Anforderungen an Schichtdicken, Durchmesser und Materialeigenschaften gefertigt.

Was kostet ein SOI Wafer?

Der Preis eines SOI Wafer hängt unter anderem von Durchmesser, Device Layer, BOX Layer, Handle Layer, Stückzahl und den gewünschten Spezifikationen ab. Fragen Sie einfach Ihre individuelle Lösung bei uns an!

Unterstützt SIEGERT WAFER bei der Auswahl eines SOI Wafer?

Ja. Unsere Experten beraten Sie bei der Auswahl des geeigneten SOI Wafer und helfen dabei, die optimale Schichtstruktur und Spezifikation für Ihre Anwendung zu definieren.