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62 Treffer 
Overall
Device
BOX
Handle
Part-No.
Diameter
(mm)
Diamater
tol.
(mm)
Size
Surf. Finish
Type
Dopant
Orientation
Resistivity
Thickness
Device TTV
Thickness
Type
Dopant
Orientation
Resistivity
Thickness
Handle TTV
Qty
(pcs)
Remarks
SW42002
/
/
/
/
P
B
<100>
1-100
100 ±1 µm
<1.5
500 nm
P
B
<100>
1-100
725 ±5 µm
/
4
/
SW44073
100
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
10-20
14.5 ±0.5 µm
<1
1.000nm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
15-25
675 ±20 µm
/
1
Laser cut edge
SW46001
150
0,5
/
/
P
B
<100>
10-20
8 ±0.5 µm
<1
1.0 µm ±5%
P
B
<100>
15-25
675 ±20 µm
/
4
/
SW46110
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
16.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
380 ±5 µm
/
8
SiO2 on backside
SW46111
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
16 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46001
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
214
SiO2 on backside
AI46002
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
143
SiO2 on backside
AI46003
150
0,2
/
/
N
RPh
<100> ±0.2°
0.01-0.02
40 ±0.3 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.2°
0.01-1
710 ±5 µm
/
130
SiO2 on backside
AI46004
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
23
SiO2 on backside
AI46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
22 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46006
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
4.6 ±0.4 µm
<1 µm
2.1 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
67
SiO2 on backside
AI46007
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.02-0.04
5 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
400 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46011
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
65
SiO2 on backside
AI46012
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
9 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
400 ±5 µm
/
10
SiO2 on backside
AI46013
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
155 ±2 µm
/
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
1000 ±7 µm
/
4
SiO2 on backside
AI46020
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
22 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46021
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
28.4 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46025
150
0,2
/
/
N
RPh
<100> ±0.5°
0.01-0.02
60 ±0.6 µm
<1 µm
0.5 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
0.01-0.02
500 ±5 µm
<1 µm
13
SiO2 on backside
AI46026
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
9 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
300 ±5 µm
/
20
SiO2 on backside
AI46027
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
32 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
25
SiO2 on backside
AI46045
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±10 µm
/
18
SiO2 on backside
AI46046
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-10
8 ±0.5 µm
<1 µm
0.5 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-10
400 ±5 µm
/
36
SiO2 on backside
AI46047
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
/
15 ±1 µm
/
0.5 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
3-9
500 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
AI46048
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
0.001-0.005
500 ±5 µm
/
21
SiO2 on backside
AI46053
150
0,2
/
/
N
Ph
<111> ±0.5°
0.01-0.1
40 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±10%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.1-1
710 ±5 µm
/
3
SiO2 on backside
AI46057
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
47 ±1 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
RPh
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
11
SiO2 on backside
AN46003
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
33 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
550 ±5 µm
/
16
SiO2 on backside
AN46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
100 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.005
500 ±5 µm
/
12
SiO2 on backside
AN46007
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.0015
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.0015
500 ±5 µm
/
70
SiO2 on backside
AN46011
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
41.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
500 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
AN46015
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.1-3
30 ±1 µm
<2 µm
0.5 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
5-30
500 ±5 µm
/
9
SiO2 on backside
AN46017
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
550 ±5 µm
/
70
SiO2 on backside
AN46019
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
28.4 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
98
SiO2 on backside
AN46021
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
20 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
40
SiO2 on backside
AN46024
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
14
SiO2 on backside
AN46025
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-3
12.5 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
4
SiO2 on backside
AN46026
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
10 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
1
SiO2 on backside
AN46027
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
33 ±0.3 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
180
SiO2 on backside
AN46032
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
675 ±25 µm
/
40
/
AN46034
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
20 ±0.5 µm
<1 µm
3.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
627 ±5 µm
/
19
SiO2 on backside
AN46035
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
48.6 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
<0.002
500 ±5 µm
/
182
SiO2 on backside
AN46037
150
0,2
/
/
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
20 ±0.5 µm
<1 µm
3.0 µm ±5%
N
Sb
<100> ±0.5°
0.008-0.02
627 ±5 µm
/
6
SiO2 on backside
CL46001
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
any
33 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
any
550 ±5 µm
/
20
/
CL46002
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
6
/
CL46003
150
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
4
/
CJ46001
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
100 ±1 µm
<2 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±10 µm
/
90
/
CJ46002
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
0.01-0.02
25 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
380 ±5 µm
/
50
SiO2 on backside
CJ46004
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
4.6 ±0.4 µm
<1 µm
2.1 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
50
SiO2 on backside
CJ46005
150
0,2
/
/
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-0.02
40 ±0.5 µm
<1 µm
2.0 µm ±5%
N
Ph
<100> ±0.5°
0.01-1
710 ±10 µm
/
35
/
CJ46006
150
0,2
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-5
33 ±0.5 µm
<1 µm
1.0 µm ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-5
550 ±5 µm
/
200
SiO2 on backside
E48098
200
0,5
/
/
P
B
<100> ±1°
1-30
20 ±0.5 µm
/
10.000 Å ±5%
P
B
<100> ±1°
1-30
550 ±25 µm
/
1
/
SW48010
200
0,5
/
/
P
B
<100> ±0.5°
1-100
100 ±1 µm
<1.5
500nm ±5 %
P
B
<100> ±0.5°
1-100
725 ±5 µm
/
23
/
CV48001
200
0,2
/
/
P
B
/
8.5-11.5
220 ±20 nm
/
2 ±0.05 µm
P
B
/
14-18.9
725 ±20 µm
/
15
/
E46066
150
0,5
/
Double Side Polished
P
B
<100> ±1°
0.01-0.02
100 ±1 µm
<2 µm
10.000 Å ±5 %
P
B
<100> ±1°
0.01-0.02
300 ±10 µm
/
15
/
E48032
200
0,5
/
Double Side Polished
P
B
<100> ±0.5°
1-50
40 ±1 µm
<2 µm
10.000 Å ±5%
P
B
<100> ±0.5°
1-50
680 ±15 µm
/
1
/
CU48001
200
0,5
/
Double Side Polished
/
/
/
0.01-0.02
10 ±0.20 µm
/
1 µm ±5 %
/
/
/
10-20
500 ±7 µm
/
1250
/
CU48002
200
0,5
/
Double Side Polished
/
/
/
10-20
2.5 ±0.20 µm
/
0.96 µm ±5 %
/
/
/
10-20
500 ±7 µm
/
812
/
CU48003
200
0,5
/
Double Side Polished
/
/
/
10-20
1.7 ±0.20 µm
/
0.96 µm ±5 %
/
/
/
10-20
500 ±7 µm
/
820
/
CU48004
200
0,5
/
Double Side Polished
/
/
/
0.20-0.60
65 ±0.50 µm
/
1.5 µm ±7 %
/
/
/
0.01-0.02
435 ±7 µm
/
675
/
CU48005
200
0,5
/
Double Side Polished
/
/
/
10-20
2.5 ±0.20 µm
/
0.96 µm ±5 %
/
/
/
0.2-0.6
500 ±7 µm
/
170
/
SW48037
200
0,5
/
Double Side Polished
N
Ph
<100> ±0.5°
1-50
120 ±2 µm
<2 µm
1.0 µm ±5 %
N
Ph
<100> ±0.5°
500-1000
610 ±15 µm
<10 µm
1
/
E44477
100
0,5
/
Etched/Etched
N
Sb
/
0.008-0.02
400-525 ±25 µm
/
2 µm ±5%
N
Ph
/
1-10
400-525 ±5 µm
/
50
/
Anfrage Lagerbestand